- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录336 > IXDE504SIAT/R (IXYS)IC GATE DRIVER 4A 8-SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXDE504SIAT/R |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 7/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DRIVER 4A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 19ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 30 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IXDD504 / IXDE504
Fig. 10
3
2.5
Input Threshold Levels vs. Temperature
V SUPPLY = 15V
Fig. 11
35
30
Propagation Delay vs. Supply Voltage
Rising Input, C LOAD = 1000pF
25
2
Positive going input
20
1.5
1
0.5
Negative going input
15
10
5
0
-50
-30
-10
10
30
50
70
90
110
130
150
0
0
5
10
15
20
25
30
35
Temperature (C)
Supply Voltage (V)
Fig. 12
Propagation Delay vs. Supply Voltage
Fig. 13
Propagation Delay vs. Temperature
45
Falling Input, C LOAD = 1000pF
35
V SUPPLY = 15V C LOAD = 1000pF
40
30
35
30
25
Negative going input
25
20
15
20
15
Positve going input
10
10
5
5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
0
-50
0
50
100
150
Supply Voltage (V)
Temeprature (C)
Fig. 14
10
Quiescent Current vs. Supply Voltage
V IN = 0V
Fig. 15
1000
Quiescent Current vs. Temperature
V SUPPLY = 15V
100
1
10
1
0.1
0.01
0.1
0.01
Non-inverting, Input= "0"
Inverting Input = "1"
0
5
10
15
20
25
30
35
-50
-30
-10
10
30
50
70
90
110
130
150
Supply Voltage (V)
7
Temperature (C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXDE514SIAT/R | IC GATE DRIVER 14A 8-SOIC |
| IXDI404SIA | IC MOSFET DRVR DUAL 4A 8-SOIC |
| IXDI409SIA | IC MOSFET DVR 9A INV 8-SOIC |
| IXDI604SI | IC GATE DVR 4A INV 8-SOIC |
| IXDI609YI | IC GATE DVR 9A DUAL HS TO263-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDE509D1 | 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 35V 1.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDE509D1T/R | 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDE509PI | 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDE509SIA | 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDE509SIAT/R | 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。