参数资料
型号: IXDE504SIAT/R
厂商: IXYS
文件页数: 6/13页
文件大小: 0K
描述: IC GATE DRIVER 4A 8-SOIC
标准包装: 2,500
配置: 低端
输入类型: 反相
延迟时间: 19ns
电流 - 峰: 4A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 4.5 V ~ 30 V
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOIC
包装: 带卷 (TR)
IXDD504 / IXDE504
Typical Performance Characteristics
Fig. 4
90
80
70
60
Rise Times vs. Supply Voltage
Fig. 5
80
70
60
50
Fall Time vs. Supply Voltage
10000pF
50
10000pF
40
40
30
30
20
5400pF
20
5400pF
10
0
1000pF
100pF
10
0
0
5
10
15
20
25
30
1000pF
100pF
35
0
5
10
15
20
25
30
35
Supply Voltage (V)
Supply Voltage (V)
Fig. 6
10
Rise / Fall Time vs. Temperature
V SUPPLY = 15V C LOAD = 1000pF
Fig. 7
70
Rise Time vs. Capacitive Load
5V
9
8
60
7
6
50
40
15V
30V
5
30
4
3
2
1
0
20
10
0
-50
-30
-10
10
30
50
70
90
110
130
150
100
1000
10000
Fig. 8
70
60
50
Temperature (C)
Fall Time vs. Capacitive Load
5V
15V
Fig. 9
2.5
2
Load Capacitance (pF)
Input Threshold Levels vs. Supply Voltage
Positive going input
40
30
30V
1.5
1
Negative going input
20
0.5
10
0
0
100
1000
10000
0
5
10
15
20
25
30
35
Load Capacitance (pF)
Copyright ? 2007 IXYS CORPORATION All rights reserved
6
Supply Voltage (V)
相关PDF资料
PDF描述
IXDE514SIAT/R IC GATE DRIVER 14A 8-SOIC
IXDI404SIA IC MOSFET DRVR DUAL 4A 8-SOIC
IXDI409SIA IC MOSFET DVR 9A INV 8-SOIC
IXDI604SI IC GATE DVR 4A INV 8-SOIC
IXDI609YI IC GATE DVR 9A DUAL HS TO263-5
相关代理商/技术参数
参数描述
IXDE509D1 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 35V 1.5 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDE509D1T/R 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDE509PI 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDE509SIA 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDE509SIAT/R 功能描述:功率驱动器IC 9 Amps 40V 1.5 Ohms Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube