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参数资料
| 型号： | IXDF604SITR |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC |
| 标准包装： | 2,000 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 29ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC-EP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
5.4 Mechanical Dimensions
5.4.1 SIA (8- Pin SOIC)
IXD_604
Pin 8
5.994 ± 0.254
(0.236 ± 0.010)
1.270 REF
(0.050)
3.937 ± 0.254
(0.155 ± 0.010)
0.762 ± 0.254
(0.030 ± 0.010)
PCB Land Pattern
0.60
(0.024)
Pin 1
0.406 ± 0.076
(0.016 ± 0.003)
5.40
(0.213)
1.55
(0.061)
4.92 8 ± 0.254
(0.194 ± 0.010)
0.559 ± 0.254
(0.022 ± 0.010)
1.346 ± 0.076
(0.053 ± 0.003)
0.051 MI N - 0.254 MAX
(0.002 MI N - 0.010 MAX)
1.27
(0.050)
Dimensions
mm
(inches)
5.4.2 SI (8- Pin Power SOIC with Exposed Metal Back)
3. 8 0
(0.150)
5.994 ± 0.254
(0.236 ± 0.010)
3.937 ± 0.254
(0.155 ± 0.010)
0.762 ± 0.254
(0.030 ± 0.010)
5.40 2.75
(0.209) (0.10 8 )
1.55
(0.061)
Pin 1
0.406 ± 0.076
(0.016 ± 0.003)
1.270 REF
(0.050)
1.27
(0.050)
0.60
(0.024)
4.92 8 ± 0.254
(0.194 ± 0.010)
1.346 ± 0.076
(0.053 ± 0.003)
Recommended PCB Land Pattern
2.540 ± 0.254
(0.100 ± 0.010)
7o
0.051 MI N - 0.254 MAX
Dimensions
(0.002 MI N - 0.010 MAX)
3.556 ± 0.254
(0.140 ±0.010)
mm
(inches)
Note: The exposed metal pad on the back of the SI package should be connected to GND. It is not suitable for
carrying current.
R05
www.ixysic.com
11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EEC18DRAS | CONN EDGECARD 36POS R/A .100 SLD |
| IXDD604SITR | IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC |
| KB15SKW01-5F24-JF | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V |
| B32794D2635K | CAP FILM 6.3UF 630VDC RADIAL |
| KB15CKW01-5D24-JB | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDH20N120 | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDH20N120AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247AD |
| IXDH20N120D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDH30N120 | 功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDH30N120AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD |
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