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参数资料
| 型号： | IXDF604SITR |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 5/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC |
| 标准包装： | 2,000 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 29ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC-EP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
1.7 Thermal Characteristics
IXD_604
Package
Parameter
Symbol
Rating
Units
D2 (8- Pin DFN)
35
PI (8-Pin DIP)
SI (8- Pin Power SOIC)
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
? JA
125
85
°C/W
SIA (8- Pin SOIC)
120
SI (8- Pin Power SOIC)
Thermal Resistance, Junction-to-Case
? JC
10
°C/W
2 IXD_604 Performance
2.1 Timing Diagrams
V IH
V IH
I N x
OUTx
V IL
90%
t offdly
t ondly
I N x
OUTx
V IL
90%
10%
t ondly
t offdly
10%
t f
t r
t r
t f
2.2 Characteristics Test Diagram
0.1 μ F
10 μ F
+
V CC
-
V CC
I N A
I N B
V CC
OUTA
OUTB
C LOAD
Tektronix
C u rrent Pro b e
6302
V I N
E N A
E N B
G N D
C LOAD
Tektronix
C u rrent Pro b e
6302
R05
www.ixysic.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EEC18DRAS | CONN EDGECARD 36POS R/A .100 SLD |
| IXDD604SITR | IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC |
| KB15SKW01-5F24-JF | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V |
| B32794D2635K | CAP FILM 6.3UF 630VDC RADIAL |
| KB15CKW01-5D24-JB | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDH20N120 | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDH20N120AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247AD |
| IXDH20N120D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDH30N120 | 功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDH30N120AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD |
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