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参数资料
| 型号： | IXDF604SITR |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 8/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC |
| 标准包装： | 2,000 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 29ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC-EP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
IXD_604
Supply Current vs. Load Capacitance
Both Outputs Active
Supply Current vs. Load Capacitance
Both Outputs Active
Supply Current vs. Load Capacitance
Both Outputs Active
1000
100
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
(V CC =35V)
400
350
300
250
200
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=2MHz
(V CC =18V)
400
350
300
250
200
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
(V CC =12V)
10
1
150
100
50
0
150
100
50
0
100
1000
10000
100
1000
10000
100
1000
10000
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Load Capacitance
Both Outputs Active
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Frequency
Both Outputs Active
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Frequency
Both Outputs Active
350
300
250
200
150
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
(V CC =8V)
1000
100
C L =10nF
C L =1nF
C L =470pF
(V CC =35V)
1000
100
10
(V CC =18V)
C L =10nF
C L =1nF
C L =470pF
100
50
0
10
1
1
0.1
100
1000
10000
1
10
100 1000
10000
1
10
100 1000
10000
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Frequency
Both Outputs Active
Frequency (kHz)
Supply Current vs. Frequency
Both Outputs Active
Frequency (kHz)
Quiesent Supply Current
vs. Temperature
1000
100
(V CC =12V)
C L =10nF
C L =1nF
C L =470pF
1000
100
(V CC =8V)
C L =10nF
C L =1nF
C L =470pF
3.0
2.5
(V CC =18V)
V I N =3.5 V
V I N =5 V
V I N =10 V
2.0
10
10
1.5
1
0.1
0.01
1
0.1
0.01
1.0
0.5
0.0
V I N =0 V & 1 8V
1
10 100
1000
1
10
100 1000
10000
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
Frequency (kHz)
Dynamic Supply Current
vs. Temperature
Frequency (kHz)
Output Source Current
vs. Supply Volta g e
Temperature (oC)
Output Sink Current
vs. Supply Volta g e
1.4
(V CC =18V, V IN =5V, f=1khz, C L =1nF)
-10
(C L =10nF)
10
(C L =10nF)
1.2
1.0
0. 8
0.6
0.4
0.2
0.0
- 8
-6
-4
-2
0
8
6
4
2
0
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
0
5
10 15 20 25
30
35
0
5
10 15 20 25
30
35
8
Temperature (oC)
Supply Volta g e (V)
www.ixysic.com
Supply Volta g e (V)
R05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EEC18DRAS | CONN EDGECARD 36POS R/A .100 SLD |
| IXDD604SITR | IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC |
| KB15SKW01-5F24-JF | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V |
| B32794D2635K | CAP FILM 6.3UF 630VDC RADIAL |
| KB15CKW01-5D24-JB | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDH20N120 | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDH20N120AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247AD |
| IXDH20N120D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDH30N120 | 功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDH30N120AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD |
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