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参数资料
| 型号： | IXDF604SITR |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC |
| 标准包装： | 2,000 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 29ns |
| 电流 - 峰： | 4A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC-EP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
1 Specifications
IXD_604
1.1 Pin Configurations
IXDD604PI/SI/SIA
IXDD604D2
1.2 Pin Definitions
E N A
1
8
E N B
E N A
1
8
OUTA
Pin Name
Description
I N A
G N D
I N B
2
3
4
A
B
7
6
5
OUTA
V CC
OUTB
I N A
I N B
E N B
2
3
4
A
B
7
6
5
G N D
V CC
OUTB
INA
INB
Channel A Logic Input
Channel B Logic Input
Channel A Enable Input -
ENA
Drive pin low to disable Channel A and force
IXDI604PI/SI/SIA
IXDF604PI/SI/SIA
Channel A Output to a high impedance state
N C
1
8
N C
N C
1
8
N C
Channel B Enable Input -
I N A
2
A
7
OUTA
I N A
2
A
7
OUTA
ENB
Drive pin low to disable Channel A and force
G N D
3
6
V CC
G N D
3
6
V CC
Channel A Output to a high impedance state
I N B
4
B
5
OUTB
I N B
4
B
5
OUTB
OUTA
Channel A Output - Sources or sinks current to
OUTA
turn-on or turn-off a discrete MOSFET or IGBT
IXDN604PI/SI/SIA
OUTB
Channel B Output - Sources or sinks current to
N C
1
8
N C
OUTB
turn-on or turn-off a discrete MOSFET or IGBT
I N A
G N D
I N B
2
3
4
A
B
7
6
5
OUTA
V CC
OUTB
V CC
GND
Supply Voltage - Provides power to the device
Ground - Common ground reference for the
device
1.3 Absolute Maximum Ratings
Parameter
Supply Voltage
Input Voltage
Output Current
Junction Temperature
Storage Temperature
Symbol
V CC
V INx , V ENx
I OUT
T J
T STG
Minimum
-0.3
-5
-
-55
-65
Maximum
40
V CC +0.3
±4
+150
+150
Units
V
V
A
°C
°C
Absolute maximum electrical ratings are at 25°C
Absolute maximum ratings are stress ratings. Stresses in excess of these ratings can cause permanent damage to the device.
Functional operation of the device at conditions beyond those indicated in the operational sections of this data sheet is not
implied.
1.4 Recommended Operating Conditions
Parameter
Supply Voltage
Operating Temperature Range
R05
Symbol
V CC
T A
www.ixysic.com
Range
4.5 to 35
-40 to +125
Units
V
°C
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EEC18DRAS | CONN EDGECARD 36POS R/A .100 SLD |
| IXDD604SITR | IC GATE DVR 4A DUAL HS 8SOIC |
| KB15SKW01-5F24-JF | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V |
| B32794D2635K | CAP FILM 6.3UF 630VDC RADIAL |
| KB15CKW01-5D24-JB | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 1A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDH20N120 | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDH20N120AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 30A I(C) | TO-247AD |
| IXDH20N120D1 | 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDH30N120 | 功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDH30N120AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-247AD |
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