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参数资料
| 型号： | IXDN614YI |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | 14A 5LEAD TO-263 NON INVERTING |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 50ns |
| 电流 - 峰： | 14A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA |
| 供应商设备封装： | TO-263-5 |
| 包装： | 管件 |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
5.4 Mechanical Dimensions
5.4.1 SI (8-Pin Power SOIC with Exposed Metal Back)
3. 8 0
(0.150)
IXD_614
5.994 ± 0.254
(0.236 ± 0.010)
3.937 ± 0.254
(0.155 ± 0.010)
0.762 ± 0.254
(0.030 ± 0.010)
5.40 2.75
(0.209) (0.10 8 )
1.55
(0.061)
Pin 1
0.406 ± 0.076
(0.016 ± 0.003)
1.270 REF
(0.050)
1.27
(0.050)
0.60
(0.024)
4.92 8 ± 0.254
(0.194 ± 0.010)
1.346 ± 0.076
(0.053 ± 0.003)
Recommended PCB Land Pattern
2.540 ± 0.254
(0.100 ± 0.010)
7o
0.051 MI N - 0.254 MAX
Dimensions
(0.002 MI N - 0.010 MAX)
3.556 ± 0.254
(0.140 ±0.010)
mm
(inches)
Note: The exposed metal pad on the back of the SI package should be connected to GND. It is not suitable for
carrying current.
5.4.2 SI Package Tape & Reel Information
330.2 DIA.
(13.00 DIA.)
Top Co v er
Tape Thickness
0.102 MAX.
(0.004 MAX.)
B 0 =5.30
(0.209)
W =12.00
(0.472)
K 0 = 2.10
(0.0 8 3)
A 0 =6.50
(0.256)
P= 8 .00
(0.315)
Em b ossed Carrier
User Direction of Feed
Dimensions
mm
(inches)
Em b ossment
NOTE: Tape dimensions not sho w n comply w ith JEDEC Standard EIA-4 8 1-2
12
www.ixysic.com
R05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32678G6256K | CAP FILM 25UF 630VDC RADIAL |
| IXDI614YI | 14A 5 LEAD TO-263 INVERTING |
| B32796E3206K | CAP FILM 20UF 700VDC RADIAL |
| IXDI614CI | 14A 5 PIN TO-220 INVERTING |
| T95S684M035EZSL | CAP TANT 0.68UF 35V 20% 1507 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDN630CI | 功能描述:功率驱动器IC 12.5V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN630MCI | 功能描述:功率驱动器IC 9V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN630MYI | 功能描述:功率驱动器IC 9V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN630YI | 功能描述:功率驱动器IC 12.5V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN75N120 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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