- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17570 > IXDN614YI (IXYS Integrated Circuits Division)14A 5LEAD TO-263 NON INVERTING PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IXDN614YI |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 6/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | 14A 5LEAD TO-263 NON INVERTING |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 50ns |
| 电流 - 峰： | 14A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA |
| 供应商设备封装： | TO-263-5 |
| 包装： | 管件 |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
1.7 Thermal Characteristics
IXD_614
Package
Parameter
Symbol
Rating
Units
CI (5-Pin TO-220)
36
PI (8-Pin DIP)
SI (8-Pin Power SOIC)
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
? JA
125
85
°C/W
YI (5-Pin TO-263)
CI (5-Pin TO-220)
46
3
SI (8-Pin Power SOIC)
Thermal Resistance, Junction-to-Case
? JC
10
°C/W
YI (5-Pin TO-263)
2 Performance
2.1 Timing Diagrams
V IH
V IH
2
I N
V IL
I N
V IL
t O N DELAY
t OFFDELAY
t OFFDELAY
t O N DELAY
90%
OUT
10%
OUT
90%
10%
t R
t F
t F
t R
2.2 Characteristics Test Diagram
0.1 μ F
10 μ F
+
V CC
-
V I N
V CC
I N
E N
V CC
G N D
OUT
C LOAD
Tektronix
C u rrent Pro b e
6302
6
www.ixysic.com
R05
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32678G6256K | CAP FILM 25UF 630VDC RADIAL |
| IXDI614YI | 14A 5 LEAD TO-263 INVERTING |
| B32796E3206K | CAP FILM 20UF 700VDC RADIAL |
| IXDI614CI | 14A 5 PIN TO-220 INVERTING |
| T95S684M035EZSL | CAP TANT 0.68UF 35V 20% 1507 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDN630CI | 功能描述:功率驱动器IC 12.5V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN630MCI | 功能描述:功率驱动器IC 9V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN630MYI | 功能描述:功率驱动器IC 9V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN630YI | 功能描述:功率驱动器IC 12.5V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN75N120 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。