参数资料
型号: IXDN614YI
厂商: IXYS Integrated Circuits Division
文件页数: 9/14页
文件大小: 0K
描述: 14A 5LEAD TO-263 NON INVERTING
标准包装: 50
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 50ns
电流 - 峰: 14A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 4.5 V ~ 35 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA
供应商设备封装: TO-263-5
包装: 管件
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
IXD_614
Supply Current vs. Load Capacitance
Supply Current vs. Load Capacitance
Supply Current vs. Load Capacitance
1000
(V CC =35V)
1000
(V CC =18V)
1000
(V CC =12V)
100
10
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
100
10
1
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
f=1kHz
100
10
1
f=2MHz
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
f=10kHz
f=1kHz
f=1kHz
1
0.1
0.1
2
4
6
8
10 12 14
16
1 8
2
4
6
8
10 12 14
16
1 8
2
4
6
8
10 12 14
16
1 8
Load Capacitance (pF)
Supply Current vs. Load Capacitance
Load Capacitance (nF)
Supply Current vs. Frequency
Load Capacitance (nF)
Supply Current vs. Frequency
1000
(V CC =8V)
1000
(V CC =35V)
1000
(V CC =18V)
f=2MHz
C L =15nF
C L =15nF
100
10
f=1MHz
f=500kHz
f=100kHz
f=50kHz
100
10
C L =7.5nF
C L =3.6nF
100
10
C L =7.5nF
C L =3.6nF
1
f=10kHz
0.1
0.01
f=1kHz
1
0.1
1
0.1
2
4
6
8
10 12 14
16
1 8
1
10
100 1000
10000
1
10
100 1000
10000
Load Capacitance (nF)
Frequency (kHz)
Frequency (kHz)
1000
100
Supply Current vs. Frequency
(V CC =12V)
C L =15nF
C L =7.5nF
C L =3.6nF
1000
100
Supply Current vs. Frequency
(V CC =8V)
C L =15nF
C L =7.5nF
C L =3.6nF
2.0
1.5
Quiescent Supply Current
vs. Temperature
3.5 V
5 V
10 V
0 V & 1 8V
10
1.0
10
1
1
0.1
0.5
0.0
0.1
1
10
100 1000
Frequency (kHz)
10000
0.01
1
10
100 1000
Frequency (kHz)
10000
-0.5
-40 -20
0
20 40 60 8 0
Temperature (oC)
100 120 140
Dynamic Supply Current
vs. Temperature
Output Source Current
vs. Supply Volta g e
Output Sink Current
vs. Supply Volta g e
1.4
(V IN =0-5V, f=1kHz, C L =5.4nF, V CC =18V)
-35
(C L =330nF)
45
(C L =330nF)
1.2
1.0
0. 8
0.6
0.4
0.2
0.0
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
0
5
10
15 20 25 30
35
40
0
5
10
15 20 25 30
35
40
R05
Temperature (oC)
Supply Volta g e (V)
www.ixysic.com
Supply Volta g e (V)
9
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PDF描述
B32678G6256K CAP FILM 25UF 630VDC RADIAL
IXDI614YI 14A 5 LEAD TO-263 INVERTING
B32796E3206K CAP FILM 20UF 700VDC RADIAL
IXDI614CI 14A 5 PIN TO-220 INVERTING
T95S684M035EZSL CAP TANT 0.68UF 35V 20% 1507
相关代理商/技术参数
参数描述
IXDN630CI 功能描述:功率驱动器IC 12.5V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDN630MCI 功能描述:功率驱动器IC 9V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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IXDN630YI 功能描述:功率驱动器IC 12.5V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDN75N120 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube