参数资料
型号: IXDN614YI
厂商: IXYS Integrated Circuits Division
文件页数: 8/14页
文件大小: 0K
描述: 14A 5LEAD TO-263 NON INVERTING
标准包装: 50
配置: 低端
输入类型: 非反相
延迟时间: 50ns
电流 - 峰: 14A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 4.5 V ~ 35 V
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA
供应商设备封装: TO-263-5
包装: 管件
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
4 Typical Performance Characteristics
IXD_614
Rise Time vs. Supply Volta g e
Fall Time vs. Supply Volta g e
Rise & Fall Time vs. Temperature
8 0
70
60
50
40
30
20
(V IN =0-5V, f=10kHz, T A =25oC)
C L =15nF
C L =7.5nF
C L =3.6nF
60
50
40
30
20
(V IN =0V-5V, f=10kHz, T A =25oC)
C L =15nF
C L =7.5nF
C L =3.6nF
15
14
13
12
11
10
9
8
(V IN =0-5V, f=10kHz, C L =3.6nF, V CC =18V)
t R
t F
10
10
7
6
0
0
5
10
15 20 25 30
35
40
0
0
5
10
15 20 25 30
35
40
5
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
Supply Volta g e (V)
Supply Volta g e (V)
Rise Time vs. Load Capacitance
Fall Time vs. Load Capacitance
Temperature (oC)
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
V CC =4.5 V
V CC = 8V
V CC =12 V
V CC =1 8V
V CC =25 V
V CC =30 V
V CC =35 V
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
V CC =4.5 V
V CC = 8V
V CC =12 V
V CC =1 8V
V CC =25 V
V CC =30 V
V CC =35 V
2
4
6
8
10 12
14
16
2
4
6
8
10 12
14
16
Load Capacitance (nF)
Load Capacitance (nF)
Propo g ation Delay
Propa g ation Delay vs. Supply Volta g e
Propa g ation Delay vs. Input Volta g e
vs. Junction Temperature
250
(V IN =0-5V, f=1kHz, C L =15nF)
160
(V IN =0-5V, f=1kHz, C L =15nF, V CC =12V)
70
(V IN =0-5V, f=1kHz, C L =15nF, V CC =18V)
t OFFDLY
200
t OFFDLY
140
65
150
120
60
t O N DLY
100
50
0
t O N DLY
100
8 0
60
40
t OFFDLY
t O N DLY
55
50
45
40
0
5
10
15 20 25 30
35
40
2
4
6
8
10
12
14
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
Supply Volta g e (V)
Input Threshold
vs. Temperature
Input Volta g e (V)
Input Threshold
Temperature (oC)
Enable Threshold
3.5
3.0
(C L =3.6nF, V CC =18V)
3.5
3.0
vs. Supply Volta g e
25
20
vs. Supply Volta g e
Min V E N H
2.5
2.0
1.5
Min V IH
Max V IL
2.5
2.0
1.5
Min V IH
Max V IL
15
10
5
0
Max V E N L
-40 -20
0
20 40 60
8 0
100 120 140
0
5
10
15 20 25 30
35
40
0
5
10
15 20 25 30
35
40
8
Temperature (oC)
Supply Volta g e (V)
www.ixysic.com
Supply Volta g e (V)
R05
相关PDF资料
PDF描述
B32678G6256K CAP FILM 25UF 630VDC RADIAL
IXDI614YI 14A 5 LEAD TO-263 INVERTING
B32796E3206K CAP FILM 20UF 700VDC RADIAL
IXDI614CI 14A 5 PIN TO-220 INVERTING
T95S684M035EZSL CAP TANT 0.68UF 35V 20% 1507
相关代理商/技术参数
参数描述
IXDN630CI 功能描述:功率驱动器IC 12.5V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDN630MCI 功能描述:功率驱动器IC 9V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDN630MYI 功能描述:功率驱动器IC 9V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDN630YI 功能描述:功率驱动器IC 12.5V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
IXDN75N120 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube