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参数资料
| 型号： | IXDN614YI |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 5/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | 14A 5LEAD TO-263 NON INVERTING |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 50ns |
| 电流 - 峰： | 14A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 35 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA |
| 供应商设备封装： | TO-263-5 |
| 包装： | 管件 |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
1.6 Electrical Characteristics: T A = - 40°C to +125°C
Test Conditions: 4.5V < V CC < 35V.
IXD_614
Parameter
Input Voltage, High
Input Voltage, Low
Input Current
Output Voltage, High
Output Voltage, Low
Output Resistance, High State
Output Resistance, Low State
Output Current, Continuous
Rise Time
Fall Time
On-Time Propagation Delay
Off-Time Propagation Delay
Enable to Output-High Delay Time
Disable to High Impedance State Delay Time
Power Supply Current
Conditions
4.5V < V CC < 18V
4.5V < V CC < 18V
0V < V IN < V CC
-
-
V CC =18V, I OUT =-100mA
V CC =18V, I OUT =100mA
Limited by package power
dissipation
C LOAD =15nF, V CC =18V
C LOAD =15nF, V CC =18V
C LOAD =15nF, V CC =18V
C LOAD =15nF, V CC =18V
IXDD614 only
IXDD614 only
V CC =18V, V IN =3.5V
V CC =18V, V IN =0V
V CC =18V, V IN =V CC
Symbol
V IH
V IL
I IN
V OH
V OL
R OH
R OL
I DC
t R
t F
t ONDELAY
t OFFDELAY
t ENOH
t DOLD
I CC
Minimum
3.3
-
-
V CC -0.025
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Maximum
-
0.65
±10
-
0.025
1.5
1.2
±1
50
40
90
90
75
85
3
150
150
Units
V
? A
V
?
A
ns
mA
? A
R05
www.ixysic.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32678G6256K | CAP FILM 25UF 630VDC RADIAL |
| IXDI614YI | 14A 5 LEAD TO-263 INVERTING |
| B32796E3206K | CAP FILM 20UF 700VDC RADIAL |
| IXDI614CI | 14A 5 PIN TO-220 INVERTING |
| T95S684M035EZSL | CAP TANT 0.68UF 35V 20% 1507 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDN630CI | 功能描述:功率驱动器IC 12.5V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN630MCI | 功能描述:功率驱动器IC 9V 5-PIN TO-220 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN630MYI | 功能描述:功率驱动器IC 9V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN630YI | 功能描述:功率驱动器IC 12.5V 5-PIN TO-263 MOSFET DRIVER; 30A RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDN75N120 | 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
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