参数资料
型号: IXDR502D1B
厂商: IXYS
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描述: IC GATE LS DRVR SGL 2A 6-DFN
产品变化通告: Discontinuation Notice 15/Jun/2010
标准包装: 121
类型: 低端
输入类型: 反相
输出数: 1
导通状态电阻: 4 欧姆
电流 - 输出 / 通道: 500mA
电流 - 峰值输出: 2A
电源电压: 4.5 V ~ 25 V
工作温度: -55°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-VFDFN
供应商设备封装: 6-DFN
包装:
IXDR502 / IXDS502
0.079±0.004 [2.00±0.10]
0.035±0.004 [0.90±0.10]
0.013 [0.32]
0.044 [1.12]
IXYS Corporation
3540 Bassett St; Santa Clara, CA 95054
Tel: 408-982-0700; Fax: 408-496-0670
e-mail: sales@ixys.net
www.ixys.com
0.008 [0.20]
S0.002^0.000; o [ S0.05^0.00;o ]
11
0.010 [0.26]
0.012 [0.30]
IXYS Semiconductor GmbH
Edisonstrasse15 ; D-68623; Lampertheim
Tel: +49-6206-503-0; Fax: +49-6206-503627
e-mail: marcom@ixys.de
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PDF描述
GEA10DTMI CONN EDGECARD 20POS R/A .125 SLD
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A9BBA-2003E FLEX CABLE - AFJ20A/AE20/AFJ20A
GMA06DTKN CONN EDGECARD 12POS DIP .125 SLD
相关代理商/技术参数
参数描述
IXDS430 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver
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IXDS502D1B 功能描述:功率驱动器IC 2 Amps V 4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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IXDT30N120AU1 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-268AA