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参数资料
| 型号： | IXDR502D1B |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE LS DRVR SGL 2A 6-DFN |
| 产品变化通告： | Discontinuation Notice 15/Jun/2010 |
| 标准包装： | 121 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 4 欧姆 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 500mA |
| 电流 - 峰值输出： | 2A |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 25 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VFDFN |
| 供应商设备封装： | 6-DFN |
| 包装： | 盒 |
IXDR502 / IXDS502
Propagation Delay vs. Supply Voltage
Fig. 10
3
Input Threshold Levels vs. Temperature
Fig. 11
40
Rising Input, C LOAD = 1000pF
35
2.5
30
2
1.5
Positive going input
Negative going input
25
20
Inverting
Non-Inverting
15
1
10
0.5
5
0
0
-50
0
50
100
150
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Temperature (C)
Supply Voltage (V)
Fig. 12
45
40
Propagation Delay vs. Supply Voltage
Falling Input, C LOAD = 1000pF
Fig. 13
40
35
Propagation Delay vs. Temperature
V SUPPLY = 15V C LOAD = 1000pF
Negative going input
35
30
30
25
Inverting
25
Positve going input
20
20
Non-Inverting
15
15
10
10
5
5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
-50
0
50
100
150
Supply Voltage (V)
Temeprature (C)
Quiescent Current vs. Temperature
Fig. 14
10000
Quiescent Current vs. Supply Voltage
Fig. 15
1000000
V SUPPLY = 15V
1000
Inverting/Non-inverting
100000
10000
Non-inverting, Input= "1"
Inverting, Input= "0"
100
10
Input = "1"
Inverting
Input = "0"
Non-inverting
1000
100
10
Inverting, Input= "1"
1
0.1
Input = "0"
1
0.1
Non-inverting, Input= "0"
0
5
10
15
20
25
30
35
40
-50
0
50
100
150
Supply Voltage (V)
7
Temperature (C)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GEA10DTMI | CONN EDGECARD 20POS R/A .125 SLD |
| A9CAG-1808F | FLEX CABLE - AFG18G/AF18/AFE18T |
| GSA06DTKN | CONN EDGECARD 12POS DIP .125 SLD |
| A9BBA-2003E | FLEX CABLE - AFJ20A/AE20/AFJ20A |
| GMA06DTKN | CONN EDGECARD 12POS DIP .125 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDS430 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver |
| IXDS430SI | 功能描述:功率驱动器IC 30 Amps SelectableV 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDS502D1B | 功能描述:功率驱动器IC 2 Amps V 4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDT30N120 | 功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 1200V 2.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDT30N120AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-268AA |
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