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参数资料
| 型号： | IXDR502D1B |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC GATE LS DRVR SGL 2A 6-DFN |
| 产品变化通告： | Discontinuation Notice 15/Jun/2010 |
| 标准包装： | 121 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 输出数： | 1 |
| 导通状态电阻： | 4 欧姆 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 500mA |
| 电流 - 峰值输出： | 2A |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 25 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-VFDFN |
| 供应商设备封装： | 6-DFN |
| 包装： | 盒 |
IXDR502 / IXDS502
Typical Performance Characteristics
Fig. 4
80
70
Rise Time vs. Supply Voltage
Fig. 5
70
60
Fall Time vs. Supply Voltage
60
10000pF
50
10000pF
50
40
40
30
5400pF
30
5400pF
20
20
10
0
1000pF
560pF
10
0
1000pF
560pF
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Supply Voltage (V)
Supply Voltage (V)
Fig. 6
12
10
Rise / Fall Time vs. Temperature
V SUPPLY = 15V C LOAD = 1000pF
Fig. 7
90
80
Rise Time vs. Capacitive Load
5V
8
Rise time
Fall time
70
60
50
10V
15V
20V
6
40
4
30
20
2
10
0
0
-50
0
50
100
150
100
1000
10000
Temperature (C)
Load Capacitance (pF)
Fig. 8
70
Fall Time vs. Capacitive Load
Fig. 9
2.5
Input Threshold Levels vs. Supply Voltage
5
60
2
50
40
30
10V
15V
20V
1.5
1
Positive going input
Negative going input
20
0.5
10
0
0
100
1000
10000
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Load Capacitance (pF)
Copyright ? 2007 IXYS CORPORATION All rights reserved
6
Supply Voltage (V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GEA10DTMI | CONN EDGECARD 20POS R/A .125 SLD |
| A9CAG-1808F | FLEX CABLE - AFG18G/AF18/AFE18T |
| GSA06DTKN | CONN EDGECARD 12POS DIP .125 SLD |
| A9BBA-2003E | FLEX CABLE - AFJ20A/AE20/AFJ20A |
| GMA06DTKN | CONN EDGECARD 12POS DIP .125 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXDS430 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:30 Amp Low-Side Ultrafast MOSFET / IGBT Driver |
| IXDS430SI | 功能描述:功率驱动器IC 30 Amps SelectableV 0.4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDS502D1B | 功能描述:功率驱动器IC 2 Amps V 4 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXDT30N120 | 功能描述:IGBT 晶体管 60 Amps 1200V 2.4 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| IXDT30N120AU1 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 50A I(C) | TO-268AA |
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