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参数资料
| 型号： | IXFB170N30P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 170A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 85A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 258nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 20000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1250W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | PLUS264? |
| 包装： | 管件 |
IXFB170N30P
180
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
300
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
160
140
120
8V
7V
250
200
8V
7V
100
150
80
60
6V
100
6V
40
50
20
0
5V
0
5V
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
180
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
V GS = 10V
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 85A Value
vs. Junction Temperature
160
140
8V
7V
2.8
V GS = 10V
2.4
120
100
80
6V
2.0
1.6
I D = 170A
I D = 85A
60
1.2
40
20
0
5V
0.8
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 85A Value
vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.4
2.2
V GS = 10V
T J = 125oC
80
70
60
External Lead Current Limit
2.0
50
1.8
40
1.6
1.4
1.2
30
20
1.0
0.8
T J = 25oC
10
0
0
50
100
150
200
250
300
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFB210N20P | MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264 |
| IXFB30N120P | MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFB210N20P | 功能描述:MOSFET 210 Amps 200V 0.0105 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB210N30P3 | 功能描述:MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IXFB30N120P | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFB30N120Q2 | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1200V 0.38 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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