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参数资料
| 型号： | IXFE44N50Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 39A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 39A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFE 44N50Q
IXFE 48N50Q
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 Deg. C
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 deg. C
48
42
36
V GS = 10V
7V
6V
120
90
V GS = 10V
8V
7V
30
24
18
60
6V
12
6
0
5V
30
0
5V
0
1
2
3 4
V D S - Volts
5
6
7
8
0
2
4
6
8 10 12
V D S - Volts
14
16
18
20
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 Deg. C
Fig. 4. R DS(on) Norm alized to I D25 Value vs.
Junction Tem perature
48
42
36
V GS = 10V
7V
6V
2.8
2.6
2.4
2.2
V GS = 10V
30
24
18
12
5V
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
I D = 48A
I D = 24A
6
0
0.8
0.6
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.4
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to I D25
Value vs. I D
45
T J - Degrees Centigrade
Fig . 6. Dr ain C u r r e n t vs . C as e
T e m p e r atu r e
3.1
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
12
24
36
48 60 72
I D - Amperes
84
96
108 120
-5 0
-2 5
0 25 50 75 1 00
T C - Degrees Centigrade
1 25
150
? 2003 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFE44N60 | MOSFET N-CH 600V 41A SOT-227B |
| IXFE55N50 | MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B |
| IXFE73N30Q | MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B |
| IXFE80N50 | MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B |
| IXFG55N50 | MOSFET N-CH 500V 48A ISO264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFE44N50QD2 | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE44N50QD3 | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE44N60 | 功能描述:MOSFET 41 Amps 600V 0.13 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE48N50Q | 功能描述:MOSFET 41 Amps 500V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE48N50QD2 | 功能描述:MOSFET 41 Amps 500V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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