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参数资料
| 型号： | IXFE55N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 47A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 47A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 90 毫欧 @ 27.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 330nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFE 55N50
IXFE 50N50
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
ISOPLUS-227 B
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
V DS = 10 V; I D = I T
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
Note 2
45
9400
1200
460
45
S
pF
pF
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
60
ns
t d(off)
t f
Q g(on)
R G
= 1 ? (External),
120
45
330
ns
ns
nC
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
55
185
0.07
0.25
nC
nC
K/W
K/W
Source-Drain Diode
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0
Repetitive;
pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
55N50
50N50
55N50
50N50
Note 2
55
50
220
200
1.5
A
A
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = 25A, -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V
1.0
10
250
ns
μ C
A
Please see IXFN55N50 data sheet
for characteristic curves.
Notes: 1. Pulse width limited by T JM.
2. Pulse test, t ≤ 300 ms, duty cycle d ≤ 2% .
3. I T Test current:
IXFE55N50: I T = 27.5 A
IXFE50N50: I T = 25 A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFE73N30Q | MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B |
| IXFE80N50 | MOSFET N-CH 500V 72A SOT-227B |
| IXFG55N50 | MOSFET N-CH 500V 48A ISO264 |
| IXFH100N25P | MOSFET N-CH 250V 100A TO-247 |
| IXFH102N15T | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFE73N30Q | 功能描述:MOSFET 66 Amps 300V 0.046 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFE80N50 | 功能描述:MOSFET 72 Amps 500V 0.055 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFF24N100 | 功能描述:MOSFET 22 Amps 1000V 0.39 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFF24N100_06 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET |
| IXFG55N50 | 功能描述:MOSFET 48 Amps 500V 0.1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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