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参数资料
| 型号： | IXFJ32N50Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 32A TO-220 |
| 产品变化通告： | Discontinuation Notice 11/Oct/2011 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 153nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3950pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3（SMT）标片 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXFJ 32N50Q
Figure 1. Output Characteristics at 25 O C
Figure 2. Output Characteristics at 125 O C
80
70
60
T J = 25 O C
V GS =10V
9V
8V
7V
50
40
T J = 125 O C
V GS = 9V
8V
7V
6V
50
40
30
6V
30
20
5V
20
10
5V
10
4V
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
V DS - Volts
V DS - Volts
2.8
2.4
2.0
1.6
Figure 3. R DS(on) normalized to 15A/25 O C vs. I D
V GS = 10V
Tj=125 0 C
2.8
2.4
2.0
1.6
Figure 4. R DS(on) normalized to 15A/25 O C vs. T J
V GS = 10V
I D = 32A
I D = 16A
Tj=25 0 C
1.2
1.2
0.8
0
10
20
30
40
50
60
0.8
25
50
75
100
125
150
40
32
24
16
I D - Amperes
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
50
40
30
20
T J - Degrees C
Figure 6. Admittance Curves
8
10
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
2
3
4
5
6
T C - Degrees C
? 2000 IXYS All rights reserved
V GS - Volts
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFJ40N30 | MOSFET N-CH 300V 40A TO-220 |
| IXFK100N10 | MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA |
| IXFK100N25 | MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA |
| IXFK102N30P | MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 |
| IXFK110N07 | MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFJ36N30 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET |
| IXFJ40N30 | 功能描述:MOSFET 40 Amps 300V 0.085 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK100N10 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 100V 0.012 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK100N-10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA 制造商:Ixys Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
| IXFK100N25 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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