参数资料
型号: IXFJ32N50Q
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 500V 32A TO-220
产品变化通告: Discontinuation Notice 11/Oct/2011
标准包装: 30
系列: HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 32A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 150 毫欧 @ 16A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 153nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3950pF @ 25V
功率 - 最大: 360W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3(SMT)标片
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
IXFJ 32N50Q
14
Figure 7. Gate Charge
10000
Figure 8. Capacitance Curves
12
Vds=300V
I D =16A
Ciss
F = 1MHz
10
8
I G =10mA
Coss
6
4
2
1000
Crss
0
0
50
100
150
200
250
100
0
5
10
15
20
25
100
80
60
Gate Charge - nC
Figure 9. Forward Voltage Drop of the
Intrinsic Diode
V GS = 0V
V DS - Volts
40
T J =125 O C
20
T J =25 O C
0
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V SD - Volts
Figure 10. Transient Thermal Resistance
0.40
0.20
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.01
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
Pulse Width - Seconds
? 2000 IXYS All rights reserved
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