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参数资料
| 型号： | IXFK100N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 360nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFK 100N10
IXFN 150N10
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ.
max.
TO-264 AA Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
V DS = 10 V; I D = 50 A, pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 75 A
80
9000
3200
1800
30
60
S
pF
pF
pF
ns
ns
t d(off)
t f
R G = 1 W (External),
100
60
ns
ns
Dim.
A
Millimeter
Min. Max.
4.82 5.13
Inches
Min. Max.
.190 .202
Q g(on)
360
nC
A1
A2
2.54
2.00
2.89
2.10
.100 .114
.079 .083
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 75 A
75
180
nC
nC
b
b1
b2
c
1.12
2.39
2.90
0.53
1.42
2.69
3.09
0.83
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
D
25.91
26.16
1.020 1.030
R thJC
R thCK
R thJC
R thCK
TO-264 AA
TO-264 AA
miniBLOC, SOT-227 B
miniBLOC, SOT-227 B
0.15
0.05
0.25
0.24
K/W
K/W
K/W
K/W
E
e
J
K
L
L1
P
Q
19.81
5.46
0.00
0.00
20.32
2.29
3.17
6.07
19.96
BSC
0.25
0.25
20.83
2.59
3.66
6.27
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
Q1
R
R1
S
8.38
3.81
1.78
6.04
8.69
4.32
2.29
6.30
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
Source-Drain Diode
Characteristic Values
T
1.57
1.83
.062 .072
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
min. typ.
max.
miniBLOC, SOT-227 B
I S
I SM
V GS = 0 V
Repetitive;
pulse width limited by T JM
IXFK 100
IXFN 150
IXFK 100
IXFN 150
100
150
400
600
A
A
A
A
V SD
t rr
I F = 100 A, V GS = 0 V,
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
150
1.75
200
V
ns
Q RM
I F = 25 A
-di/dt = 100 A/ m s,
0.6
m C
M4 screws (4x) supplied
I RM
V R = 50 V
8
A
Dim.
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
Millimeter
Min. Max.
31.50
31.88
7.80
8.20
4.09
4.29
4.09
4.29
4.09
4.29
14.91
15.11
30.12
30.30
38.00
38.23
11.68
12.22
8.92
9.60
0.76
0.84
12.60
12.85
25.15
25.42
1.98
2.13
4.95
5.97
26.54
26.90
3.94
4.42
4.72
4.85
24.59
25.07
-0.05
0.1
Inches
Min. Max.
1.240
1.255
0.307
0.323
0.161
0.169
0.161
0.169
0.161
0.169
0.587
0.595
1.186
1.193
1.496
1.505
0.460
0.481
0.351
0.378
0.030
0.033
0.496
0.506
0.990
1.001
0.078
0.084
0.195
0.235
1.045
1.059
0.155
0.174
0.186
0.191
0.968
0.987
-0.002
0.004
? 2000 IXYS All rights reserved
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
2-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK100N25 | MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA |
| IXFK102N30P | MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 |
| IXFK110N07 | MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA |
| IXFK120N20P | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 |
| IXFK120N20 | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK100N-10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA 制造商:Ixys Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
| IXFK100N25 | 功能描述:MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK102N30P | 功能描述:MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK105N07 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFK110N06 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
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