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参数资料
| 型号： | IXFK100N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 360nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXFK 100N10
IXFN 150N10
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 Input Admittance
400
350
300
250
T J = 25°C
V GS = 10V
9V
300
250
200
8V
200
150
150
100
50
0
7V
6V
5V
100
50
0
T J = 125 C
T J = 125 C
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.4
1.3
1.2
V DS - Volts
Fig. 3 R DS(on) vs. Drain Current
T J = 25°C
2.00
1.75
1.50
V GS - Volts
Fig. 4 Temperature Dependence
of Drain to Source Resistance
1.1
1.0
V GS = 10V
1.25
1.00
I D = 75A
V GS = 15V
0.9
0.8
0.75
0.50
0
40
80
120 160 200 240 280 320
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
175
I D - Amperes
Fig. 5 Drain Current vs.
Case Temperature
1.2
T J - Degrees C
Fig. 6 Temperature Dependence of
Breakdown and Threshold Voltage
150
125
100
150N10
1.1
1.0
0.9
BV DSS
100N10
75
50
25
0
0.8
0.7
0.6
0.5
V GS(th)
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T C - Degrees C
? 2000 IXYS All rights reserved
T J - Degrees C
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK100N25 | MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA |
| IXFK102N30P | MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 |
| IXFK110N07 | MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA |
| IXFK120N20P | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 |
| IXFK120N20 | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK100N-10 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA 制造商:Ixys Corporation 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA |
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| IXFK102N30P | 功能描述:MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK105N07 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFK110N06 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
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