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参数资料
| 型号： | IXFK180N15P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 180A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 90A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 240nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 散装 |
IXFK 180N15P
IXFX 180N15P
180
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
320
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
160
140
120
V GS = 10V
9V
8V
280
240
200
V GS = 10V
9V
100
80
160
8V
60
7V
120
40
80
7V
20
0
6
40
0
6V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150 o C
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
V GS = 10V
9V
8
7V
6V
5V
2.8
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V GS = 10V
I D = 180A
I D = 90A
0
0.5
1
1.5 2 2.5
V D S - Volts
3
3.5
4
-50
-25
0
25 50 75 100 125
T J - Degrees Centigrade
150
175
3.4
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Drain Current
90
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
3.1
2.8
2.5
2.2
T J = 175 o C
80
70
60
50
External Lead Current Limit
1.9
1.6
1.3
1
0.7
V GS = 15V
V GS = 10V
T J = 25 o C
40
30
20
10
0
0
50
100
150 200
I D - Amperes
250
300
350
-50
-25
0 25 50 75 100 125
T C - Degrees Centigrade
150
175
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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