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参数资料
型号： IXFK180N15P
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 150V 180A TO-264
标准包装： 25
系列： Polar™ HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 180A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 11 毫欧 @ 90A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 240nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 7000pF @ 25V
功率 - 最大： 830W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA
供应商设备封装： TO-264
包装： 散装
IXFK 180N15P
IXFX 180N15P
F ig . 1 3 . M a x im u m T r a n s ie n t T h e r m a l R e s is t a n c e
1.00
0.10
0.01
0.00
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10
100
1000
Pu ls e W id th - m illis e c o n d s
? 2006 IXYS All rights reserved
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
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IXFK185N10 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 185A I(D) | TO-264AA
IXFK200N10P 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK20N120 功能描述:MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK20N120P 功能描述:MOSFET 20 Amps 1200V 1 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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