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参数资料
| 型号： | IXFK32N90P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 32A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | * |
IXFK32N90P
IXFX32N90P
50
Fig. 7. Input Admittance
50
Fig. 8. Transconductance
45
40
45
40
T J = - 40oC
35
30
25
20
15
10
5
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
35
30
25
20
15
10
5
0
25oC
125oC
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
100
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
90
80
70
60
50
14
12
10
8
V DS = 450V
I D = 16A
I G = 10mA
40
T J = 125oC
6
30
4
20
10
0
T J = 25oC
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
0
50
100
150
200
250
300
100,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
100
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
25μs
10,000
1,000
Ciss
Coss
10
T J = 150oC
T C = 25oC
100μs
1ms
100
Crss
1
Single Pulse
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1,000
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK34N80 | MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA |
| IXFK360N15T2 | MOSFET N-CH 150V 360A TO264 |
| IXFK36N60P | MOSFET N-CH 600V 36A TO-264 |
| IXFK36N60 | MOSFET N-CH 600V 36A TO-264AA |
| IXFK40N90P | MOSFET N-CH TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXFK33N50S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-264VAR |
| IXFK34N80 | 功能描述:MOSFET 800V 34A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK35N50 | 功能描述:MOSFET 35 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK35N50S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-264VAR |
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