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参数资料
| 型号： | IXFK32N90P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 900V 32A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | * |
IXFK32N90P
IXFX32N90P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
1
Fig. 13 Maximum Transient Thermal Impedance
0.3
0.1
0.01
0.001
sdasd
0.00001
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0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: IXF_32N90P(86) 9-27-11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK34N80 | MOSFET N-CH 800V 34A TO-264AA |
| IXFK360N15T2 | MOSFET N-CH 150V 360A TO264 |
| IXFK36N60P | MOSFET N-CH 600V 36A TO-264 |
| IXFK36N60 | MOSFET N-CH 600V 36A TO-264AA |
| IXFK40N90P | MOSFET N-CH TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK33N50 | 功能描述:MOSFET 33 Amps 500V 0.16 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK33N50S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-264VAR |
| IXFK34N80 | 功能描述:MOSFET 800V 34A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK35N50 | 功能描述:MOSFET 35 Amps 500V 0.15 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK35N50S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 35A I(D) | TO-264VAR |
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