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参数资料
型号： IXFK40N90P
厂商： IXYS
文件页数： 2/4页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH TO-264
标准包装： 25
系列： Polar™ HiPerFET™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 900V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 40A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 230 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 6.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 230nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 14000pF @ 25V
功率 - 最大： 960W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-264-3，TO-264AA
供应商设备封装： TO-264
包装： 管件
IXFK40N90P
IXFX40N90P
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-264 Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
R Gi
V DS = 20V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Gate Input Resistance
18
30
14
896
58
1.5
S
nF
pF
pF
Ω
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 1 Ω (External)
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
53
50
77
46
230
70
100
0.15
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.13 ° C/W
° C/W
Dim.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
Millimeter
Min. Max.
4.82 5.13
2.54 2.89
2.00 2.10
1.12 1.42
2.39 2.69
2.90 3.09
0.53 0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
4 - Drain
Inches
Min. Max.
.190 .202
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
J
K
L
L1
P
Q
Q1
0.00 0.25
0.00 0.25
20.32 20.83
2.29 2.59
3.17 3.66
6.07 6.27
8.38 8.69
.000 .010
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
Source-Drain Diode
R
R1
3.81 4.32
1.78 2.29
.150 .170
.070 .090
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
S 6.04 6.30
T 1.57 1.83
PLUS247 TM Outline
.238 .248
.062 .072
I S
I SM
V SD
V GS = 0V
Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
40
160
1.5
A
A
V
t rr
I RM
Q RM
I F = 20A, -di/dt = 100A/ μ s,
V R = 100V, V GS = 0V
14.0
1.7
300
ns
A
μ C
Terminals: 1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
Note:
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
Dim.
Millimeter
Inches
Min. Max.
Min. Max.
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
1.14 1.40
1.91 2.13
2.92 3.12
0.61 0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81 4.32
5.59 6.20
4.32 4.83
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
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PDF描述
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参数描述
IXFK420N10T 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK43N60 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET
IXFK44N50 功能描述:MOSFET 500V 44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK44N50F 功能描述:MOSFET HiperRF Power MOSFET 500V, 44A, 0.12 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK44N50F_09 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching
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