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参数资料
| 型号： | IXFK40N90P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 900V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 230nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 14000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 960W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXFK40N90P
IXFX40N90P
Fig. 7. Input Admittance
Fig. 8. Transconductance
50
40
30
T J = 125oC
25oC
50
40
30
T J = - 40oC
25oC
125oC
20
10
0
- 40oC
20
10
0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
120
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode
16
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
100
80
14
12
10
V DS = 450V
I D = 20A
I G = 10mA
60
40
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
8
6
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
50
100
150
200
250
300
350
100,000
10,000
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
1
0.1
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
1,000
Coss
0.01
100
Crss
10
0.001
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS REF: IXF_40N90P(96) 10-25-11-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFK420N10T | MOSFET N-CH 100V 420A TO-264 |
| IXFK44N50P | MOSFET N-CH 500V 44A TO-264 |
| IXFK44N55Q | MOSFET N-CH 550V 44A 0TO-264 |
| IXFK44N60 | MOSFET N-CH 600V 44A TO-264AA |
| IXFK44N80P | MOSFET N-CH 800V 44A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFK420N10T | 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK43N60 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET |
| IXFK44N50 | 功能描述:MOSFET 500V 44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK44N50F | 功能描述:MOSFET HiperRF Power MOSFET 500V, 44A, 0.12 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFK44N50F_09 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching |
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