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参数资料
| 型号： | IXFL30N120P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 380 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 310nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 19000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 357W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUSi5-Pak? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUSi5-Pak? |
| 包装： | 管件 |
IXFL30N120P
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
ISOPLUS i5-Pak TM (IXFL) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
R Gi
V DS = 20V, I D = 15A, Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Gate input resistance
13
22
19
960
25
1.70
S
nF
pF
pF
Ω
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 15A
R G = 1 Ω (External)
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 15A
57
60
95
56
310
104
ns
ns
ns
ns
nC
nC
1 = Gate
2 = Source
3 = Drain
4 = Isolated
Q gd
R thJC
R thCS
137
0.15
nC
0.35 °C/W
°C/W
SYM
A
A1
A2
b
b1
INCHES
MIN MAX
0.190 0.205
0.102 0.118
0.046
0.055
0.045
0.055
0.063
0.072
MILLIMETER
MIN MAX
4.83 5.21
2.59 3.00
1.17
1.40
1.14
1.40
1.60
1.83
Source-Drain Diode
T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
b2
c
D
0.058
0.020
1.020
0.068
0.029
1.040
1.47
0.51
25.91
1.73
0.74
26.42
I S
V GS = 0V
30
A
E
0.770
0.799
19.56
20.29
I SM
V SD
Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
120
1.5
A
V
e
e1
L
L1
0.150 BSC
0.450 BSC
0.780 0.820
0.080 0.102
3.81 BSC
11.43 BSC
19.81 20.83
2.03 2.59
t rr
Q RM
I RM
I F = 15A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V, V GS = 0V
1.6
14
300 ns
μ C
A
Q
Q1
R
R1
S
0.210
0.490
0.150
0.100
0.668
0.235
0.513
0.180
0.130
0.690
5.33
12.45
3.81
2.54
16.97
5.97
13.03
4.57
3.30
17.53
T
U
0.801
0.065
0.821
0.080
20.34
1.65
20.85
2.03
Notes:
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
2. Part must be heatsunk for high-temp Ices measurement.
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFL32N120P | MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK |
| IXFL34N100 | MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264 |
| IXFL38N100P | MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK |
| IXFL38N100Q2 | MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264 |
| IXFL39N90 | MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFL32N120P | 功能描述:MOSFET 32 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL34N100 | 功能描述:MOSFET 34 Amps 1000V 0.28W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL34N100_09 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS264 |
| IXFL350 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-254 |
| IXFL36N110P | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:Polar Power MOSFET HiPerFET |
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