参数资料
型号: IXFL30N120P
厂商: IXYS
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
标准包装: 25
系列: Polar™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 18A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 380 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 6.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 310nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 19000pF @ 25V
功率 - 最大: 357W
安装类型: 通孔
封装/外壳: ISOPLUSi5-Pak?
供应商设备封装: ISOPLUSi5-Pak?
包装: 管件
IXFL30N120P
30
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = @ 25oC
70
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
25
20
V GS = 10V
8V
60
50
40
V GS = 10V
9V
8V
15
30
10
7V
20
7V
5
0
6V
10
0
6V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
5
10
15
20
25
30
30
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 15A Value vs.
Junction Temperature
25
V GS = 10V
8V
2.6
V GS = 10V
2.2
20
15
7V
1.8
I D = 30A
I D = 15A
1.4
10
1.0
6V
5
0
5V
0.6
0.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 15A Value vs.
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
2.6
Drain Current
20
Case Temperature
2.4
2.2
2
V GS = 10V
T J = 125oC
18
16
14
12
1.8
10
1.6
8
1.4
6
1.2
4
1
0.8
T J = 25oC
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
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PDF描述
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参数描述
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