- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录454 > IXFL38N100P (IXYS)MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFL38N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 29A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 350nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 24000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 520W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUSi5-Pak? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUSi5-Pak? |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Polar TM Power MOSFET
HiPerFET TM
( Electrically Isolated Tab)
IXFL38N100P
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
1000V
29A
230m Ω
300ns
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
ISOPLUS i5-Pak TM (HV)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
1000
V
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
1000
± 30
± 40
V
V
V
G
S
D
ISOLATED TAB
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
29
120
A
A
G = Gate
S = Source
D = Drain
I A
E AS
dV/dt
P D
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
V ISOL
F C
Weight
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
Maximum Lead Temperature for Soldering
Plastic Body for 10s
50/60 Hz, RMS, 1 minute
I ISOL ≤ 1mA t = 1s
Mounting Force
19
2
15
520
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
2500
3000
40..120/4.5..27
8
A
J
V/ns
W
° C
° C
° C
°C
°C
V~
V~
N/lb.
g
Features
Silicon Chip on Direct-Copper-Bond
Substrate
- High Power Dissipation
- Isolated Mounting Surface
- 2500V Electrical Isolation
International Standard Packages
miniBLOC, with Aluminium Nitride
Isolation
Low Drain to Tab Capacitance(<30pF)
Rugged Polysilicon Gate Cell
Structure
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
Advantages
Easy Assembly
Space Savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
High Power Density
BV DSS
V GS = 0V, I D = 3mA
1000
V
Applications
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = ± 30V, V DS = 0V
3.5
6.5
± 300
V
nA
Switched-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS , V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 19A, Note 1
T J = 125 ° C
50 μ A
4 mA
230 m Ω
DC-DC Converters
Laser Drivers
AC and DC Motor Drives
Robotics and Servo Controls
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99755B(7/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFL38N100Q2 | MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264 |
| IXFL39N90 | MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 |
| IXFL44N100P | MOSFET N-CH 1000V 22A I5-PAK |
| IXFL44N60 | MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264 |
| IXFL44N80 | MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFL38N100Q2 | 功能描述:MOSFET Q2-Class HiperFET 1000, 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL39N90 | 功能描述:MOSFET 39 Amps 900V 0.22W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL40N110P | 功能描述:MOSFET 40 Amps 1100V 0.2800 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL44N100P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL44N60 | 功能描述:MOSFET 44 Amps 600V 0.13W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。