参数资料
型号: IXFL38N100P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK
标准包装: 25
系列: Polar™ HiPerFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 1000V(1kV)
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 29A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 230 毫欧 @ 19A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 6.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 350nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 24000pF @ 25V
功率 - 最大: 520W
安装类型: 通孔
封装/外壳: ISOPLUSi5-Pak?
供应商设备封装: ISOPLUSi5-Pak?
包装: 管件
IXFL38N100P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
1.000
0.100
0.010
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width - Seconds
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: F_38N100(99)7-14-09-D
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PDF描述
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参数描述
IXFL38N100Q2 功能描述:MOSFET Q2-Class HiperFET 1000, 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFL39N90 功能描述:MOSFET 39 Amps 900V 0.22W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFL40N110P 功能描述:MOSFET 40 Amps 1100V 0.2800 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFL44N100P 功能描述:MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFL44N60 功能描述:MOSFET 44 Amps 600V 0.13W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube