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参数资料
| 型号： | IXFL38N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 29A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 350nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 24000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 520W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUSi5-Pak? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUSi5-Pak? |
| 包装： | 管件 |
IXFL38N100P
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
ISOPLUS i5-Pak TM HV (IXFL) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
R Gi
V DS = 20V, I D = 19A, Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Gate input resistance
18
29
24
1245
80
0.78
S
nF
pF
pF
Ω
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 19A
R G = 1 Ω (External)
74
55
71
40
350
ns
ns
ns
ns
nC
SYM
A
PIN 1 = Gate
PIN 2 = Source
PIN 3 = Drain
Tap 4 = Electricall isolated 2500V
INCHES MILLIMETER
MIN MAX MIN MAX
0.190 0.205 4.83 5.21
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 19A
150
150
0.15
nC
nC
0.24 °C/W
°C/W
A1
A2
b
b1
b2
c
0.102
0.046
0.045
0.063
0.058
0.020
0.118
0.055
0.055
0.072
0.068
0.029
2.59
1.17
1.14
1.60
1.47
0.51
3.00
1.40
1.40
1.83
1.73
0.74
D
E
1.020
0.770
1.040
0.799
25.91
19.56
26.42
20.29
Source-Drain Diode
T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
e
e1
L
L1
0.150 BSC
0.450 BSC
0.780 0.820
0.080 0.102
3.81 BSC
11.43 BSC
19.81 20.83
2.03 2.59
I S
I SM
V SD
V GS = 0V
Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
38
150
1.5
A
A
V
Q
Q1
R
R1
S
0.210
0.490
0.150
0.100
0.668
0.235
0.513
0.180
0.130
0.690
5.33
12.45
3.81
2.54
16.97
5.97
13.03
4.57
3.30
17.53
t rr
Q RM
I RM
I F = 25A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V, V GS = 0V
2.5
17
300 ns
μ C
A
T
U
0.801
0.065
0.821
0.080
20.34
1.65
20.85
2.03
Note 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
PRELIMINARY TECHNICAL INFORMATION
The product presented herein is under development. The Technical Specifications offered are derived
from data gathered during objective characterizations of preliminary engineering lots; but also may yet
contain some information supplied during a pre-production design evaluation. IXYS reserves the right
to change limits, test conditions, and dimensions without notice.
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFL38N100Q2 | MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264 |
| IXFL39N90 | MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 |
| IXFL44N100P | MOSFET N-CH 1000V 22A I5-PAK |
| IXFL44N60 | MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264 |
| IXFL44N80 | MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFL38N100Q2 | 功能描述:MOSFET Q2-Class HiperFET 1000, 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL39N90 | 功能描述:MOSFET 39 Amps 900V 0.22W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL40N110P | 功能描述:MOSFET 40 Amps 1100V 0.2800 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL44N100P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL44N60 | 功能描述:MOSFET 44 Amps 600V 0.13W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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