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参数资料
| 型号： | IXFL38N100P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | Polar™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 29A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 350nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 24000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 520W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUSi5-Pak? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUSi5-Pak? |
| 包装： | 管件 |
IXFL38N100P
40
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
100
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
35
V GS = 15V
11V
10V
90
80
V GS = 15V
11V
30
70
25
60
10V
20
9V
50
15
40
30
9V
10
8V
20
5
0
7V
10
0
8V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
5
10
15
20
25
30
40
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 19A Value vs.
Junction Temperature
35
30
V GS = 15V
10V
9V
2.6
2.2
V GS = 10V
25
1.8
I D = 38A
20
8V
1.4
I D = 19A
15
10
1.0
5
0
7V
6V
0.6
0.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 19A Value vs. Drain
Current
32
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.4
2.2
2.0
T J = 125oC
V GS = 10V
15V - - - -
28
24
20
1.8
16
1.6
12
1.4
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
8
4
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFL38N100Q2 | MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264 |
| IXFL39N90 | MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 |
| IXFL44N100P | MOSFET N-CH 1000V 22A I5-PAK |
| IXFL44N60 | MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264 |
| IXFL44N80 | MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFL38N100Q2 | 功能描述:MOSFET Q2-Class HiperFET 1000, 22A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL39N90 | 功能描述:MOSFET 39 Amps 900V 0.22W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL40N110P | 功能描述:MOSFET 40 Amps 1100V 0.2800 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL44N100P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL44N60 | 功能描述:MOSFET 44 Amps 600V 0.13W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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