- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录454 > IXFL38N100Q2 (IXYS)MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFL38N100Q2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 29A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 280 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 380W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS264? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS264? |
| 包装： | 管件 |
HiPerFET TM
Power MOSFET
Q2-Class
N-Channel Enhancement Mode
IXFL38N100Q2
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
t rr ≤
1000V
29A
280m Ω
300ns
Avalanche Rated, Low Q g , Low Intrinsic R G
High dV/dt, Low t rr
ISOPLUS264 TM ( IXFL)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
1000
1000
V
V
V GSS
V GSM
I D25
I DM
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 30
± 40
29
152
V
V
A
A
G
D
S
Isolated Tab
I A
E AS
dV/dt
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
T C = 25 ° C
38
5
20
380
A
J
V/ns
W
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
T J
T JM
T stg
-55 ... +150
150
-55 ... +150
° C
° C
° C
Electrically isolated mounting tab
Double metal process for low gate
resistance
Unclamped Inductive Switching
T L
T SOLD
F C
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10s
Plastic body for 10s
Mounting force
300
260
30..120/6.7..27
° C
° C
N/lbs
(UIS) rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Fast intrinsic diode
V ISOL
Weight
50/60 Hz, RMS
I ISOL ≤ 1 mA
t = 1 min
t=1s
2500
3000
10
V~
V~
g
Applications
DC-DC converters
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
Pulse generation
Laser drivers
Advantages
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 1mA
1000
V
2500 V~ Electrical isolation
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 8mA
3.0
5.5
V
ISOPLUS 264 TM package for clip or
spring mounting
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = ± 30 V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = 10V, I D = 19A, Note 1
T J = 125 ° C
± 200 nA
100 μ A
5 mA
280 m Ω
Space savings
High power density
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99512A(05/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFL39N90 | MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 |
| IXFL44N100P | MOSFET N-CH 1000V 22A I5-PAK |
| IXFL44N60 | MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264 |
| IXFL44N80 | MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264 |
| IXFL60N60 | MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFL39N90 | 功能描述:MOSFET 39 Amps 900V 0.22W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL40N110P | 功能描述:MOSFET 40 Amps 1100V 0.2800 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL44N100P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL44N60 | 功能描述:MOSFET 44 Amps 600V 0.13W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL44N80 | 功能描述:MOSFET 44 Amps 800V 0.165W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。