- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录454 > IXFL38N100Q2 (IXYS)MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFL38N100Q2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 29A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 280 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 380W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS264? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS264? |
| 包装： | 管件 |
IXFL38N100Q2
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
40
35
30
25
20
15
10
5
0
V GS = 10V
6V
5V
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V GS = 10V
6V
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0
2
4
6
8
10 12 14 16
18
20 22 24
40
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
V GS = 10V
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 19A
Value vs. Junction Temperature
35
30
6V
2.8
2.4
V GS = 10V
25
20
15
10
5
0
5V
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
I D = 38A
I D = 19A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 19A
Value vs. Drain Current
30
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
2.4
V GS = 10V
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
T J = 125 o C
T J = 25 o C
25
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- Amperes
T C - Degrees Centigrade
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFL39N90 | MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 |
| IXFL44N100P | MOSFET N-CH 1000V 22A I5-PAK |
| IXFL44N60 | MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264 |
| IXFL44N80 | MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264 |
| IXFL60N60 | MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFL39N90 | 功能描述:MOSFET 39 Amps 900V 0.22W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL40N110P | 功能描述:MOSFET 40 Amps 1100V 0.2800 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL44N100P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL44N60 | 功能描述:MOSFET 44 Amps 600V 0.13W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL44N80 | 功能描述:MOSFET 44 Amps 800V 0.165W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。