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参数资料
| 型号： | IXFL38N100Q2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 29A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 280 毫欧 @ 19A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 380W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS264? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS264? |
| 包装： | 管件 |
IXFL38N100Q2
Fig. 7. Input Admittance
Fig. 8. Transconductance
60
55
50
45
80
70
60
T J = - 40 o C
40
35
30
T J = 125 o C
25 o C
- 40 o C
50
40
125 o C
25 o C
25
20
15
10
5
0
30
20
10
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0
10
20
30
40
50
60
70
V GS - Volts
I
D
- Amperes
90
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-
Drain Voltage
10
Fig. 10. Gate Charge
80
70
8
V DS = 500V
I D = 19A
I G = 10mA
60
6
50
40
30
T J = 125 o C
4
20
10
0
T J = 25 o C
2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
50
100
150
200
250
V SD - Volts
Q
G
- nanoCoulombs
100000
10000
1000
100
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
C iss
C oss
C rss
1
0.1
0.01
0.001
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_38N100Q2(95) 5-27-08-B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFL39N90 | MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264 |
| IXFL44N100P | MOSFET N-CH 1000V 22A I5-PAK |
| IXFL44N60 | MOSFET N-CH 600V 41A ISOPLUS264 |
| IXFL44N80 | MOSFET N-CH 800V 44A ISOPLUS264 |
| IXFL60N60 | MOSFET N-CH 600V 60A ISOPLUS264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFL39N90 | 功能描述:MOSFET 39 Amps 900V 0.22W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL40N110P | 功能描述:MOSFET 40 Amps 1100V 0.2800 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL44N100P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 1000V 0.22 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL44N60 | 功能描述:MOSFET 44 Amps 600V 0.13W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFL44N80 | 功能描述:MOSFET 44 Amps 800V 0.165W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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