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参数资料
| 型号： | IXFL34N100 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 280 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 380nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 550W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS264? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS264? |
| 包装： | 管件 |
IXFL 34N100
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
ISOPLUS 264 OUTLINE
g fs
V DS = 15 V; I D = I T
Note 2
18
40
S
C iss
9200
pF
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
R G = 1 ? (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = I T
1200
300
41
65
110
30
380
65
185
0.05
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.225 K/W
K/W
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
I RM
V GS = 0 V
Repetitive;
pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V, Note 1
I F = I S , -di/dt = 100 A/ μ s, V R = 100 V T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
180
330
2
8
34
136
1.3
A
A
V
ns
ns
μ C
A
Note: 1. Pulse width limited by T JM
2. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
3. Test current I T = 30A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
6,306,728B1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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