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参数资料
| 型号： | IXFN140N25T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 120A SOT-227 |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | * |
IXFN140N25T
140
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
320
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
120
100
V GS = 10V
8V
7V
280
240
V GS = 10V
8V
7V
200
80
6V
160
60
120
40
80
6V
20
0
5V
40
0
5V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V DS - Volts
V DS - Volts
140
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.0
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 70A Value vs.
Junction Temperature
V GS = 10V
120
100
80
60
40
8V
7V
6V
2.6
2.2
1.8
1.4
1.0
V GS = 10V
I D = 140A
I D = 70A
5V
20
0
0.6
0.2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 70A Value vs.
Drain Current
140
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
V GS = 10V
120
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
T J = 125oC
100
80
60
40
1.0
0.8
T J = 25oC
20
0
0
40
80
120
160
200
240
280
320
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN140N30P | MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B |
| IXFN150N15 | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227 |
| IXFN160N30T | MOSFET N-CH 300V 130A SOT227 |
| IXFN170N30P | MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B |
| IXFN180N15P | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN140N30P | 功能描述:MOSFET 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN150N10 | 功能描述:MOSFET 150 Amps 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN150N15 | 功能描述:MOSFET 150V 150A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN15N100 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 15A I(D) | SOT-227B |
| IXFN160N30T | 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 130A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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