参数资料
型号: IXFN170N30P
厂商: IXYS
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描述: MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
标准包装: 10
系列: Polar™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 300V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 138A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 18 毫欧 @ 85A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 258nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 20000pF @ 25V
功率 - 最大: 890W
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装: SOT-227B
包装: 管件
IXFN170N30P
180
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
300
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = 10V
160
140
120
8V
7V
250
200
8V
7V
100
150
80
60
6V
100
6V
40
50
20
0
5V
0
5V
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
180
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
V GS = 10V
3.2
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 85A Value
vs. Junction Temperature
160
140
8V
7V
2.8
V GS = 10V
2.4
120
100
80
6V
2.0
1.6
I D = 170A
I D = 85A
60
1.2
40
20
0
5V
0.8
0.4
0
1
2
3
4
5
6
7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.8
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 85A Value
vs. Drain Current
120
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
2.4
V GS = 10V
T J = 125oC
110
100
External Lead Current Limit
90
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
80
70
60
50
40
30
20
1.0
0.8
T J = 25oC
10
0
0
50
100
150
200
250
300
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
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