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参数资料
| 型号： | IXFN170N30P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | Polar™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 138A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 85A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 258nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 20000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 890W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN170N30P
180
160
140
Fig. 7. Input Admittance
200
180
160
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
120
100
T J = 125oC
25oC
- 40oC
140
120
100
25oC
125oC
80
80
60
40
20
0
60
40
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
350
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
300
9
8
V DS = 150V
I D = 85A
I G = 10mA
250
200
150
7
6
5
4
100
50
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
0
40
80
120
160
200
240
280
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
100,000
1,000.0
R DS(on) Limit
Ciss
25μs
10,000
100.0
100μs
1,000
100
Coss
10.0
1.0
1ms
Crss
T J = 150oC
10ms
10
f = 1 MHz
0.1
T C = 25oC
Single Pulse
DC
100ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V DS - Volts
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: F_170N30P(9S) 06-24-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN180N15P | MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B |
| IXFN180N20 | MOSFET N-CH 200V 180A SOT-227B |
| IXFN180N25T | MOSFET N-CH 155A 250V SOT-227 |
| IXFN200N07 | MOSFET N-CH 70V 200A SOT-227B |
| IXFN200N10P | MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN17N80 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFN180N06 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFN180N07 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 70V 0.007 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN180N10 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 100V 0.008 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN180N15P | 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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