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参数资料
| 型号： | IXFN280N085 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 280A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.4 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 580nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 19000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN280N085
350
Fig. 1. Extended Output Characteristics
@ 25oC
300
Fig. 2. Output Characteristics
@ 125oC
300
V GS = 10V
9V
8V
250
V GS = 10V
9V
8V
250
7V
200
7V
200
150
6V
150
6V
100
100
5V
50
0
5V
50
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1.8
V DS - Volts
Fig. 3. R DS(on) Normalized to I D = 140A Value
vs. Junction Temperature
1.7
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 140A Value
vs. Drain Current
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
V GS = 10V
I D = 280A
I D = 140A
1.6
1.5
1.4
1.3
V GS = 10V
T J = 125oC
1.1
1.2
1.0
0.9
1.1
T J = 25oC
0.8
1.0
0.7
0.6
0.9
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
350
220
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 5. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
300
275
I D - Amperes
Fig. 6. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
180
160
External Lead Current Limit
250
225
200
140
175
120
150
100
80
60
40
20
0
125
100
75
50
25
0
T J = 125oC
T J = 25oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
T C - Degrees Centigrade
? 2008 IXYS Corporation, All rights reserved
V SD - Volts
IXYS REF: F_280N085(9Y-N17)12-02-08-A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN30N110P | MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B |
| IXFN30N120P | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B |
| IXFN320N17T2 | MOSFET N-CH 170V 260A SOT227 |
| IXFN32N100P | MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B |
| IXFN32N120P | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN300N10P | 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN30N110P | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1100V 0.3600 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN30N120P | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN320N17T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXFN32N100P | 功能描述:MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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