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参数资料
| 型号： | IXFN280N085 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 280A SOT-227B |
| 产品目录绘图： | SOT-227, SOT-227B miniBLOC |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 280A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.4 毫欧 @ 100A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 8mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 580nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 19000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN280N085
180
160
140
Fig. 7. Input Admittance
140
120
100
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
25oC
120
100
T J = 125oC
25oC
80
125oC
- 40oC
80
60
60
40
40
20
0
20
0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
100
V GS - Volts
Fig. 9. Capacitance
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
f = 1 MHz
Ciss
9
8
7
6
V DS = 43V
I D = 100A
I G = 10mA
10
Coss
5
4
3
2
Crss
1
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
V DS - Volts
Q G - NanoCoulombs
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
1.000
0.100
0.010
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN30N110P | MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B |
| IXFN30N120P | MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227B |
| IXFN320N17T2 | MOSFET N-CH 170V 260A SOT227 |
| IXFN32N100P | MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B |
| IXFN32N120P | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN300N10P | 功能描述:MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN30N110P | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1100V 0.3600 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN30N120P | 功能描述:MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN320N17T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXFN32N100P | 功能描述:MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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