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参数资料
| 型号： | IXFN360N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 360A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.6 毫欧 @ 180A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 505nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 36000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN360N10T
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
Fig. 2. Output Characteristics
@ 150oC
360
320
280
240
V GS = 15V
10V
8V
7V
360
320
280
240
V GS = 15V
10V
9V
8V
7V
6V
200
200
160
120
6V
160
120
80
80
5V
40
0
5V
40
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
V DS - Volts
Fig. 3. R DS(on) Normalized to I D = 180A Value
vs. Junction Temperature
2.6
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 180A Value
vs. Drain Current
2.4
V GS = 10V
2.4
2.2
2.2
T J = 175oC
2.0
1.8
I D = 350A
I D = 180A
2.0
1.8
V GS = 10V
15V - - - -
1.6
1.4
1.2
1.6
1.4
1.0
0.8
0.6
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.6
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
330
360
220
T J - Degrees Centigrade
Fig. 5. Drain Current vs. Case Temperature
280
I D - Amperes
Fig. 6. Input Admittance
200
180
160
External Lead Current Limit
240
200
T J = 150oC
25oC
- 40oC
140
120
100
80
60
40
20
0
160
120
80
40
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3.4
3.8
4.2
4.6
5.0
5.4
5.8
6.2
T C - Degrees Centigrade
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
V GS - Volts
IXYS REF: F_360N10T(2x7V)12-04-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN360N15T2 | MOSFET N-CH 150V 310A SOT227 |
| IXFN36N100 | MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B |
| IXFN36N110P | MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B |
| IXFN38N100P | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B |
| IXFN40N110P | MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN360N15T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXFN36N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN36N110P | 功能描述:MOSFET 36 Amps 1100V 0.2400 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN36N60 | 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN38N100P | 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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