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参数资料
| 型号： | IXFN360N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 360A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.6 毫欧 @ 180A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 505nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 36000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN360N10T
340
Fig. 12. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
320
R G = 1 ?
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
300
280
V GS = 10V
260
R G = 1 ?
I
D
= 200A
240
V DS = 50V
25oC < T J < 125oC
V GS = 10V
200
220
V DS = 50V
160
180
120
140
I
D
= 100A
80
100
40
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T J - Degrees Centigrade
Fig. 14. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 15. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
800
180
60
100
700
600
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
160
140
55
50
t f t d(off) - - - -
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
95
90
45
I D = 200A
85
500
400
300
200
I D = 200A
I D = 100A
120
100
80
60
40
35
30
25
I D = 100A
80
75
70
65
20
60
100
0
40
20
15
10
55
50
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
40
140
600
600
38
t f
t d(off) - - - -
130
550
t f
t d(off) - - - -
36
34
R G = 1 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
120
110
500
450
400
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
500
400
32
30
28
26
24
T J = 125oC, 25oC
100
90
80
70
60
350
300
250
200
150
100
I D = 200A
I
D
= 100A
300
200
100
22
50
50
20
40
0
0
40
60
80
100
120
140
160
180
200
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: F_360N10T(2x7V)12-04-08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN360N15T2 | MOSFET N-CH 150V 310A SOT227 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN360N15T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXFN36N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN36N110P | 功能描述:MOSFET 36 Amps 1100V 0.2400 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN36N60 | 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN38N100P | 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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