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参数资料
| 型号： | IXFN360N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 360A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.6 毫欧 @ 180A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 505nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 36000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 830W |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商设备封装： | SOT-227B |
| 包装： | 管件 |
IXFN360N10T
400
Fig. 7. Transconductance
360
Fig. 8. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
360
320
280
240
200
160
T J = - 40oC
25oC
150oC
320
280
240
200
160
120
80
40
120
80
40
T J = 150oC
T J = 25oC
0
0
40
80
120
160
200
240
280
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
10
I D - Amperes
Fig. 9. Gate Charge
100,000
V SD - Volts
Fig. 10. Capacitance
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V DS = 50V
I D = 180A
I G = 10mA
10,000
1,000
100
f = 1 MHz
Ciss
Coss
Crss
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1.00
0.10
0.01
0.00
Q G - NanoCoulombs
Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance
V DS - Volts
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN360N15T2 | MOSFET N-CH 150V 310A SOT227 |
| IXFN36N100 | MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B |
| IXFN36N110P | MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B |
| IXFN38N100P | MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B |
| IXFN40N110P | MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN360N15T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXFN36N100 | 功能描述:MOSFET 1KV 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN36N110P | 功能描述:MOSFET 36 Amps 1100V 0.2400 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN36N60 | 功能描述:MOSFET 600V 36A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN38N100P | 功能描述:MOSFET 38 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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