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参数资料
| 型号： | IXFN80N60P3 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B |
| 标准包装： | 10 |
| 系列： | * |
IXFN80N60P3
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
1
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Impedance
0.2
0.1
0.01
0.001
AAAAA
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width - Seconds
? 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
IXYS REF: F_80N60P3(W9) 3-10-11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFN82N60P | MOSFET N-CH 600V 72A SOT-227B |
| IXFN82N60Q3 | MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227 |
| IXFN90N30 | MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B |
| IXFP10N80P | MOSFET N-CH 800V 10A TO-220 |
| IXFP110N15T2 | MOSFET N-CH 150V 110A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFN82N60P | 功能描述:MOSFET DIODE Id82 BVdass600 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN82N60Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/66A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFN90N30 | 功能描述:MOSFET 90 Amps 300V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFP05N100M | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Voltage HiperFET |
| IXFP102N15T | 功能描述:MOSFET 102 Amps 0V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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