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参数资料
| 型号： | IXFR36N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 102nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 208W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXFR 36N60P
36
Fig. 1. Output Characte r is tics
@ 25 o C
90
Fig. 2. Exte nde d Output Characte r is tics
@ 25 o C
32
28
24
20
16
12
8
V GS = 10V
7V
6V
80
70
60
50
40
30
20
V GS = 10V
8V
7V
6V
4
0
5V
10
0
5V
0
1
2
3 4
V D S - V olts
5
6
7
0
3
6
9
12 15 18
V D S - V olts
21
24
27
30
36
Fig. 3. Output Characte r is tics
@ 125 o C
3.1
Fig. 4. R DS(on ) Norm alize d to I D = 18A
V alue vs . Junction Te m pe r atur e
32
28
24
20
16
12
8
4
0
V GS = 10V
7V
6V
5V
2.8
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
V GS = 10V
I D = 36A
I D = 18A
0
2
4
6 8 10
V D S - V olts
12
14
16
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
3.4
Fig. 5. R DS(on) Norm alize d to
I D = 18A V alue vs . I D
22
Fig . 6. Dr ain C u r r e n t vs . C as e
T e m p e r atu r e
3.0
2.6
V GS = 10V
T J = 125oC
20
18
16
14
2.2
1.8
1.4
12
10
8
6
1.0
0.6
T J = 25oC
4
2
0
0
10
20
30 40 50
I D - A mperes
60
70
80
90
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR40N90P | MOSFET N-CH ISOPLUS247 |
| IXFR44N50P | MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 |
| IXFR44N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247 |
| IXFR44N60 | MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 |
| IXFR44N80P | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR38N80Q2 | 功能描述:MOSFET 38 Amps 800V 0.24 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR38N80Q2_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET Q2-Class |
| IXFR40N50Q2 | 功能描述:MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR40N50Q2_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET Q2-Class |
| IXFR40N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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