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参数资料
| 型号： | IXFR36N60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 102nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 208W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXFR 36N60P
55
50
Fig. 7. Input Adm ittance
70
Fig. 8. Transconductance
45
40
35
30
25
20
T J = 125oC
60
50
40
30
T J = -40oC
25oC
125oC
15
10
5
0
25oC
-40oC
20
10
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
10
20
30
40
50
60
70
100
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
90
80
70
60
50
40
9
8
7
6
5
4
V DS = 300V
I D = 18A
I G = 10mA
30
20
10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7 0.8 0.9
V S D - Volts
1
1.1
1.2
0
10
20
30 40 50 60 70 80
Q G - nanoCoulombs
90 100 110
10000
Fig. 11. Capacitance
1.00
Fig . 12. M axim u m T r an s ie n t T h e r m al
Re s is tan ce
C iss
1000
100
C oss
0.10
10
f = 1MHz
C rss
0.01
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
1
10 100
Puls e Width - millis ec onds
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR40N90P | MOSFET N-CH ISOPLUS247 |
| IXFR44N50P | MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 |
| IXFR44N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247 |
| IXFR44N60 | MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 |
| IXFR44N80P | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR38N80Q2 | 功能描述:MOSFET 38 Amps 800V 0.24 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR38N80Q2_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET Q2-Class |
| IXFR40N50Q2 | 功能描述:MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR40N50Q2_08 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFET Q2-Class |
| IXFR40N90P | 功能描述:MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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