- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录457 > IXFR44N50P (IXYS)MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXFR44N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 98nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 208W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM HiPerFET IXFR 44N50P
Power MOSFET
ISOPLUS247 TM
(Electrically Isolated Back Surface)
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
500 V
24 A
150 m ?
200 ns
N-Channel Enhancement
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
ISOPLUS247 (IXFR)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
E153432
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M ?
500
500
V
V
V GSM
V GSM
I D25
I DM
Transient
Continuous
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 40
± 30
24
132
V
V
A
A
G
D
G = Gate
S
ISOLATED TAB
D = Drain
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
44
55
1.7
10
A
mJ
J
V/ns
S = Source
Features
P D
T J
T JM
T stg
T L
V ISOL
F C
Weight
T J ≤ 150 ° C, R G = 10 ?
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS, 1 minute
Mounting Force
208
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
2500
20..120 / 4.5..25
5
W
° C
° C
° C
° C
V~
N/lb
g
l
l
l
l
l
International standard isolated
package
UL recognized package
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
l
Fast intrinsic diode
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
l
l
Easy to mount
Space savings
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 22 A
T J = 125 ° C
500
2.5
5.0
± 100
25
500
150
V
V
nA
μ A
μ A
m ?
l
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99319E(03/06)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR44N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247 |
| IXFR44N60 | MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247 |
| IXFR44N80P | MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247 |
| IXFR48N50Q | MOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247 |
| IXFR48N60P | MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXFR44N50Q | 功能描述:MOSFET 34 Amps 500V 0.12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR44N50Q_03 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247, Q-Class |
| IXFR44N50Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/25A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR44N60 | 功能描述:MOSFET 600V 38A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXFR44N80P | 功能描述:MOSFET DIODE Id26 BVdass800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。