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参数资料
| 型号： | IXFR44N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHV™ HiPerFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 4mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 98nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5440pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 208W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXFR 44N50P
65
60
55
50
Fig. 7. Input Admittance
60
55
50
45
Fig. 8. Transconductance
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
40
35
30
25
20
15
10
5
0
T J = - 40oC
25oC
125oC
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
10
20
30
40
50
60
70
140
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 250V
120
100
80
8
7
6
5
I D = 22A
I G = 10mA
60
40
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
C iss
1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
T J = 150oC
T C = 25oC
1,000
C oss
100
R DS(on) Limit
25μs
100μs
100
10
1ms
f = 1 MHz
C rss
DC
10ms
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFR44N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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